సెమీకండక్టర్ ప్రెజర్ సెన్సార్లను రెండు వర్గాలుగా విభజించవచ్చు, ఒకటి సెమీకండక్టర్ పిఎన్ జంక్షన్ (లేదా షాట్కీ జంక్షన్) యొక్క I-υ లక్షణాలు ఒత్తిడిలో మారుతుందనే సూత్రంపై ఆధారపడి ఉంటాయి. ఈ పీడన సున్నితమైన మూలకం యొక్క పనితీరు చాలా అస్థిరంగా ఉంది మరియు పెద్దగా అభివృద్ధి చెందలేదు. మరొకటి సెమీకండక్టర్ పైజోరేసిస్టివ్ ఎఫెక్ట్ ఆధారంగా సెన్సార్, ఇది సెమీకండక్టర్ ప్రెజర్ సెన్సార్ యొక్క ప్రధాన రకం. ప్రారంభ రోజుల్లో, సెమీకండక్టర్ స్ట్రెయిన్ గేజ్‌లు ఎక్కువగా సాగే అంశాలతో జతచేయబడ్డాయి, వివిధ ఒత్తిడి మరియు స్ట్రెయిన్ కొలిచే పరికరాలను చేయడానికి. 1960 లలో, సెమీకండక్టర్ ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ టెక్నాలజీ అభివృద్ధితో, పైజోరేసిస్టివ్ ఎలిమెంట్ వలె డిఫ్యూజన్ రెసిస్టర్‌తో సెమీకండక్టర్ ప్రెజర్ సెన్సార్ కనిపించింది. ఈ రకమైన ప్రెజర్ సెన్సార్ సరళమైన మరియు నమ్మదగిన నిర్మాణాన్ని కలిగి ఉంది, సాపేక్ష కదిలే భాగాలు లేవు మరియు సెన్సార్ యొక్క ప్రెజర్ సెన్సిటివ్ ఎలిమెంట్ మరియు సాగే మూలకం విలీనం చేయబడతాయి, ఇది యాంత్రిక లాగ్ మరియు క్రీప్‌ను నివారిస్తుంది మరియు సెన్సార్ యొక్క పనితీరును మెరుగుపరుస్తుంది.

సెమీకండక్టర్ సెమీకండక్టర్ యొక్క పైజోరెసిస్టివ్ ప్రభావం బాహ్య శక్తికి సంబంధించిన లక్షణం కలిగి ఉంది, అనగా, రెసిస్టివిటీ (చిహ్నం ద్వారా ప్రాతినిధ్యం వహిస్తుంది) అది కలిగి ఉన్న ఒత్తిడితో మారుతుంది, దీనిని పైజోరేసిస్టివ్ ఎఫెక్ట్ అంటారు. యూనిట్ ఒత్తిడి చర్య కింద రెసిస్టివిటీ యొక్క సాపేక్ష మార్పును పైజోరేసిస్టివ్ గుణకం అంటారు, ఇది చిహ్నం ద్వారా వ్యక్తీకరించబడుతుంది. గణితశాస్త్రపరంగా ρ/ρ = π as గా వ్యక్తీకరించబడింది.

ఇక్కడ σ ఒత్తిడిని సూచిస్తుంది. ఒత్తిడిలో సెమీకండక్టర్ నిరోధకత వల్ల కలిగే నిరోధక విలువ (r/r) యొక్క మార్పు ప్రధానంగా రెసిస్టివిటీ యొక్క మార్పు ద్వారా నిర్ణయించబడుతుంది, కాబట్టి పైజోరేసిస్టివ్ ప్రభావం యొక్క వ్యక్తీకరణను r/r = .eas గా కూడా వ్రాయవచ్చు.

బాహ్య శక్తి యొక్క చర్య ప్రకారం, సెమీకండక్టర్ స్ఫటికాలలో కొన్ని ఒత్తిడి (σ) మరియు జాతి (ε) ఉత్పత్తి అవుతాయి, మరియు వాటి మధ్య సంబంధం పదార్థం యొక్క యంగ్ యొక్క మాడ్యులస్ (y) ద్వారా నిర్ణయించబడుతుంది, అనగా y = σ/of.

సెమీకండక్టర్‌పై ఒత్తిడి ద్వారా పైజోరేసిస్టివ్ ప్రభావం వ్యక్తీకరించబడితే, అది r/r = gε.

G ని పీడన సెన్సార్ యొక్క సున్నితత్వ కారకం అంటారు, ఇది యూనిట్ స్ట్రెయిన్ కింద నిరోధక విలువ యొక్క సాపేక్ష మార్పును సూచిస్తుంది.

పైజోరేసిస్టివ్ గుణకం లేదా సున్నితత్వ కారకం సెమీకండక్టర్ పైజోరేసిస్టివ్ ప్రభావం యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక పరామితి. వాటి మధ్య సంబంధం, ఒత్తిడి మరియు ఒత్తిడి మధ్య సంబంధం వలె, పదార్థం యొక్క యంగ్ యొక్క మాడ్యులస్ ద్వారా నిర్ణయించబడుతుంది, అనగా, g = π y.

స్థితిస్థాపకతలో సెమీకండక్టర్ స్ఫటికాల యొక్క అనిసోట్రోపి కారణంగా, క్రిస్టల్ ధోరణితో యంగ్ యొక్క మాడ్యులస్ మరియు పైజోరేసిస్టివ్ గుణకం మార్పు. సెమీకండక్టర్ పైజోరేసిస్టివ్ ప్రభావం యొక్క పరిమాణం కూడా సెమీకండక్టర్ యొక్క రెసిస్టివిటీకి దగ్గరి సంబంధం కలిగి ఉంటుంది. తక్కువ రెసిస్టివిటీ, చిన్న సున్నితత్వ కారకం. విస్తరణ నిరోధకత యొక్క పైజోరేసిస్టివ్ ప్రభావం క్రిస్టల్ ధోరణి మరియు విస్తరణ నిరోధకత యొక్క అశుద్ధ సాంద్రత ద్వారా నిర్ణయించబడుతుంది. అశుద్ధమైన ఏకాగ్రత ప్రధానంగా వ్యాప్తి పొర యొక్క ఉపరితల అశుద్ధ సాంద్రతను సూచిస్తుంది.